←предыдущая следующая→
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ...
ВВЕДЕНИЕ
Для выхода нашей станы из экономического кризиса необходимо
повышение темпов и эффективности развития экономики на базе уско-
рения научно-технического прогресса, техническое перевооружение и
реконструкция производства , интенсивное использование созданного
производственного потенциала, совершенствование системы управле-
ния, хозяйственного механизма и достижение на этой основе даль-
нейшего подъема благосостояния народа. Исходя из этого необходимо
на основе проведения единой технической политики во всех отраслях
народного хозяйства ускорить техническое перевооружение произ-
водства, широко внедрять прогрессивную технику и технологию,
обеспечивающие повышение производительности труда и качество про-
дукции. Необходимо обеспечить создание и выпуск новых видов при-
боров и радиоэлектронной аппаратуры, основанных на широком приме-
нении микроэлектроники.
В настоящее время этап развития микроэлектроники и аппара-
тостроения на ее основе можно назвать этапом интегральных схем
(ИС).
Интегральные схемы, являясь основной элементной базой микро-
электроники, позволяют реализовать подавляющее большинство функ-
ций радиоаппаратуры.
Микрокомпоненты, применяемые совместно с ИС, должны быть
совместимыми с ними по конструкции, технологии и уровню надежнос-
ти. В некоторых случаях оправдано применение гибридных интеграль-
ных схем (ГИС). Это объясняется следующими обстоятельствами:
Технология ГИС проста и требует меньших, чем полупроводнико-
вая технология затрат на оборудование и помещения.
Технологию ГИС можно рассматривать как перспективную по
сравнению с существующей технологией многослойного печатного
монтажа.
Пассивную часть ГИС изготавливают на отдельной подложке, что
позволяет достигать высокого качества пассивных элементов при не-
обходимости создавать прецизионные ГИС.
Основной проблемой при создании микроэлектронной аппаратуры
(МЭА) является выбор конструкции, а также:
- обеспечение теплового режима;
- обеспечение надежности;
- обеспечение компоновки и соединений;
- снижение стоимости МЭА.
При проектировании конкретного образца МЭА должны учитывать-
ся:
- назначение и область применения МЭА;
- заданные электрические характеристики;
- условия эксплуатации, определяющие степень воздействия
внешней среды;
- требования к конструкции (надежность, ремонтопригодность,
масса, габариты, тепловые режимы);
- технико-экономические характеристики (стоимость, техноло-
гичность изготовления).
Основным средством миниатюризации устройств является их ин-
тегральное исполнение. В силовых устройствах интеграция - это в
первую очередь объединение бескорпусных силовых полупроводниковых
приборов в общем корпусе. Примером такого силового устройства яв-
ляется разрабатываемый силовой микромодуль вторичного источника
питания.
Наряду с ГИС применяются малогабаритные сборки, состоящие из
силовых транзисторов и диодов.
В основу проектирования силового микромодуля заложены сов-
ременные тенденции конструирования ВИП на базе микроэлектронной
технологии их изготовления.
.
АНАЛИЗ ТЕХНИЧЕСКОГО ЗАДАНИЯ
Анализируя задание на дипломное проектирование, видно, что
модуль используется как составная часть изделия. Наличие при экс-
плуатации изделия влажности до 93% требует предусмотреть защиту
радиоэлементов и печатных плат путем герметизации модуля, а также
пропиткой и заливкой. Так в частности трансформатор преобразова-
теля заливается . Герметизация модуля обеспечивается с помощью
резиновой прокладки по периметру между крышкой и корпусом. Наибо-
лее сложным вопросом является обеспечение нормального теплового
режима при эксплуатации в диапазоне температур - 40-60я5o я0С.
Основное влияние температуры будет сказываться на радиоэле-
менты и особенно верхний предел температуры +60я5oя0 С. С этой целью
выбор элементной базы произведен исключительно по техническим ус-
ловиям и ГОСТам, что исключает ошибки в выборе элементной базы.
Все выбранные радиоэлементы обеспечивают предельные температуры
эксплуатации. Такой режим достигается благодаря особенности конс-
трукции. Особенность заключается в том, что большинство теплонаг-
руженных элементов имеют хороший тепловой контакт на корпус моду-
ля. Так, например, трансформатор преобразователя находится в
гнезде корпуса. Корпус выполнен из материала Д16, обладающим хо-
рошей теплопроводностью, а для большего уменьшения теплового соп-
ротивления, там где это необходимо, применяется теплопроводящая
паста КНТ-8. Все это позволяет спроектировать модуль в заданных
габаритах.
Механические нагрузки на модуль довольно значительные, т.к.
он эксплуатируется в изделии устанавливаемом на подвижных объек-
тах Однако, вся конструкция модуля и его элементов отвечают тре-
бованиям вибро- и ударной устойчивости, заданной в ТЗ.
Исходя из вышеизложенного, можно утверждать, что модуль
обеспечит заданную надежность P(t)=0,9 при t=5000. Проведенный в
дальнейшем расчет надежности должен показать правильность выб-
ранной элементной базы и самой конструкции модуля. При меньшем
расчетном значении надежности потребуется пересмотр элементной
базы вариантов и способов охлаждения и возможно всей конструкции
модуля.
Так, применение бескорпусных транзисторов 2Т3642Б-2,
2Т376Б1-2, 2Т397А-2 и др., а также пленочных резисторов R1-12,
особое значение приобретает полная и тщательная герметизация
всего корпуса.
НАЗНАЧЕНИЕ И ПРИНЦИП РАБОТЫ
Проблема создания экономичных, надежных, малогабаритных ис-
точников электрической энергии для питания современных радоэлект-
ронных устройств становится все более актуальной.
Этой проблемой заняты специалисты всех стран мира
Большое внимание уделяется и повышению КПД вторичных источни-
ков питания, т.к. количество их возрастает вместе с теми устройс-
твами, где они используются. Одновременно растут требования и к
стабильности питающей напряжения РЭА.
Поэтому правильный выбор схемы блока питания играет большую
роль в получении высокого КПД.
С этой целью была выбрана схема микромодуля питания с широ-
ко-импульсной модуляцией.
Блок питания обеспечивает стабилизацию выходного напряжения
с одновременной фильтрацией низкочастотных составляющих входного
напряжения.
Входное напряжение может изменяться от 20 до 30 В, а выход-
ное напряжение при всех дестабилизирующих факторах (изменение
входного напряжения, температуры окружающей среды, тока нагрузки)
←предыдущая следующая→
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ...
|
|