1. Выращивание тонкого подзатворного диэлектрика. |
|
2. Создание p+-охраны. |
|
3. Локальное окисление. |
|
4. Формирование поликремниевого затвора. |
|
5. Ионное n+-легирование через тонкий диэлектрик. |
|
6. Нанесение ФСС и вскрытие контактных окон. |
|
7. Металлизация алюминием. |
|
8. Пассивация. |
|
|