←предыдущая следующая→
1 2 3 4
наихудших условиях окружающей среды
максимальное значение периода регенерации не менее 2 мс. Длитель-
ность циклов регенерации обычно равна длительности циклов считы-
вания или записи информации, но для полной регенерации информации
в микросхеме необходимо несколько сотен таких циклов.
Микросхемы динамических ОЗУ отличаются от микросхем стати-
ческих ОЗУ большей информационной емкостью, что обусловлено
меньшим числом компонентов в одном элементе памяти, и, следова-
тельно, более плотным их размещением в полупроводниковом крис-
талле. Однако динамические ОЗУ сложнее в применении, поскольку
нуждаются в организации принудительной регенерации, в дополни-
тельном оборудовании и более сложных устройствах управления.
Серийные микросхемы динамических ОЗУ в настоящее время имеют
емкость 1, 4 или 16 Мбит и применяются для создания основного ОЗУ
ЭВМ. В ближайшее десятилетие планируется освоение серийного
производства микросхем емкостью 256 Мбит.
Емкость микросхем статических ОЗУ не превышает 256 Кбит. Они
применяются для создания сверхоперативной памяти ЭВМ, а также в
устройствах автоматики, микроконтроллерах и т.п.
С точки зрения разработчика электронной аппаратуры тип ОЗУ
- 8 -
гораздо важнее его внутренней организации, так как использование
динамических ОЗУ значительно усложняет как схему разрабатываемого
устройства, так и моделирование его работы в процессе разработки.
Регенерация требует как правило прерывания работы процессора и
поглощает заметную часть процессорного времени (5 - 10%), что
крайне не желательно в системах реального времени.
ПОСТОЯННЫЕ ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА
Постоянные запоминающие устройства в рабочем режиме ЭВМ
допускают только считывание хранимой информации. В зависимости от
типа ПЗУ занесение в него информации производится или в процессе
изготовления, или в зксплуатационных условиях путем программиро-
вания с помощью специального оборудования.
Постоянные запоминающие устройства обычно строятся как ад-
ресные ЗУ. Функционирование ПЗУ можно рассматривать, как выполне-
ние однозначного преобразования k-разрядного кода адреса ячейки
запоминающего массива в n-разрядный код хранящегося в ней слова.
По сравнению с ОЗУ, ПЗУ строятся из более простых элементов
и по более простым схемам, поэтому их быстродействие и надежность
выше, а стоимость ниже, чем у ОЗУ.
ПЗУ широко используются для хранения рабочих программ специ-
ализированных ЭВМ и программ запуска и тестирования универсальных
ЭВМ.
В ПЗУ со структурой типа 2D запоминающий массив образуется
системой взаимно перпендикулярных линий, в пересечениях которых
устанавливаются элементы, которые либо связывают (состояние 1),
либо не связывают (состояние 0) между собой горизонтальную и вер-
тикальную линии.
Дешифратор Дш по коду адреса в РгА выбирает одну из горизон-
тальных линий, в которую подается сигнал выборки. Выходной сигнал
появляется в тех вертикальных разрядных линиях, которые имеют
связь с возбужденной разрядной линией.
В зависимости от типа запоминающих элементов различают ре-
зисторные, емкостные, индуктивные, полупроводниковые и другие
ПЗУ.
Полупроводниковые интегральные ПЗУ, в отличие от ОЗУ явля-
ются энергонезависимыми, т.е. информация в них не исчезает при
выключении питания.
По способу занесения информации различают следующие типы ин-
тегральных полупроводниковых ПЗУ:
1) с программированием в процессе изготовления путем нанесения
с помощью фотошаблонов перемычек в необходимых местах;
2) с программированием путем выжигания перемычек или разрушения
p-n-переходов;
3) с электрическим программированием и ультрафиолетовым стира-
нием;
4) с электрическим программированием и электрическим стиранием
информации (так называемая флеш-память).
Микросхемы, программируемые в процессе изготовления или
путем выжигания перемычек, обычно строятся на базе ТТЛ логики и
имеют небольшую емкость (не выше 64 Кбит), но малое время досту-
па, и применяются в простых устройствах автоматики, а также для
хранения матриц шрифтов в контроллерах дисплеев и принтеров. Пов-
торное использование микросхем этих типов невозможно, так как в
них нельзя стереть и перезаписать информацию.
Микросхемы ПЗУ с ультрафиолетовым стиранием информации имеют
- 9 -
емкость до 1 Мбит и применяются при создании контроллеров различ-
ных устройств ЭВМ для хранения программ, а также для хранения
программ тестирования ЭВМ и начальной загрузки операционной
системы.
Новая технология памяти - с электрическим программированием
и электрическим стиранием, именуемая ETOX III или флеш-технологи-
ей, была анонсирована фирмой Intel в 1989 году. Изготовляемые по
этой технологии микросхемы имеют емкость 8 Мбит с организацией
1 Мбит x 8 и время цикла чтения 85 нс. Длительность цикла записи
байта составляет 9 мкс, длительность цикла стирания - 10 мс, дли-
тельность автоматического стирания блока в 64 Кбайт составляет
1,5 с. Микросхемы этого типа применяются для создания электронных
дисков переносных и карманных персональных компьютеров.
←предыдущая следующая→
1 2 3 4