я5ія0 я5і я0ія5 АДДДЩя0 і і я5АДДДЩя0 і я5АДДДЩя0 і
я5ія0 я5ія02я5rя0 і ^ і і ^ і ^ і
я5ія0r-1 Гя5ДДДДя0Ея5ДДДБДДДДя0ЕДДДЕДя5ДДБДДДДя0ЕДДДДДя5ДДя0Щ і
АДДДДЩ і і і і і
^ ^ АДДДДДДДДЕДДДЩ і і
і і 0і . . . i"і . . . і
і і ЪДБДДДДДДДДДДДДБДДДДДДДДДДДДБДїя4 я0 ВхИнф
ГДДЕДДДДДДДДДДД>і РАдрФя4jя0 і<ДДДДДДДДД
і ГДДДДДДДДДДД>і r k-1і (0/1)
і і АДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДДЩ
^
Зап Чт і
Адрес
Запоминающий массив ЗУ типа 2,5D можно рассматривать как
группу запоминающих массивов - по одному для каждого разряда
памяти. Код адреса ячейки, как и в ЗУ типа 3D, разделяется на две
части (i' и i"), каждая из которых отдельно дешифрируется.
- 6 -
Адресный формирователь АдрФ выдает сигнал выборки на линию i'.
Разрядно-адресный формирователь j-го разряда РАдрФj выдает сигнал
на линию i". При считывании оба сигнала, являющиеся сигналами вы-
борки для считывания, опрашивают запоминающий элемент, выходной
сигнал которого поступает на усилитель считывания разряда j.
При записи адресный формирователь АдрФ выдает сигнал выборки
для записи, а разрядно-адресный формирователь j-го разряда РАдрФj
выдает по линии i" сигнал записи 0 или 1 в зависимости от назна-
чения входного информационного сигнала j-го разряда ВхИнФj.
На остальных линиях разрядно-адресного формирователя устанавлива-
ется сигнал "Хранение", и поэтому изменяется состояние только
элемента, лежащего на пересечении линий i' и i".
Из запоминающих массивов отдельных разрядов формируется за-
поминающий массив всего ЗУ.
Структура n-разрядного ЗУ типа 2,5D:
n ЪДДДДДДї n ИнфВых
ХНННННННННННСНННННННННННСН/Н>і УсСч ЖН/ННННННН>
0і jі n-1і АДДДДДДЩ
ЪДДДДї ЪДДДБДДДї ЪДДДБДДДї ЪДДДБДДДї
і0 ГД>і і і і і і
Адрес і і: і і і і і і
ННННН>іАдрФГД>і ЗМя40я0 і...і ЗМя40я0 і...і ЗМя40я0 і
і і: і і і і і і
іr-1 ГД>і і і і і і
АДДДДЩ АДДДДДДДЩ АДДДДДДДЩ АДДДДДДДЩ
^..^..^ ^..^..^ ^..^..^
ЪБДДБДДБї ЪБДДБДДБї ЪБДДБДДя4БДя0ї
і РАдрФя40я0і<ї і РАдрФя4jя0і<ї іРАдрФя4n-1я0і<ї
АДДДДДДДЩ і АДДДДДДДЩ і АДДДДДДДя4ДЩя0 і
^ 0і ^ jі ^ n-1і я4 я0 n ИнфВх
Адрес (rя7_я0k-1) є ФНННННОНННННПНННННОННННННПя4НННя0НН/ННННННННН
ННННННННННННННННННКНННННННННННКНННННННННННј
Недостатком ЗУ типа 2,5D является то, что сигналы на линиях
разрядно-адресного формирователя должны иметь 4 значения: чтения,
запись 0, запись 1 и хранение. Для запоминающих элементов с раз-
рушающим считыванием сигналы "Чтение" и "Запись 0" совпадают, и
потребуется лишь три значения сигнала. В связи с этим ЗУ типа
2,5D используются лишь для запоминающих элементов с разрушающим
считыванием.
Запоминающие устройства типа 2D-M
Для построения современных полупроводниковых ЗУ из элементов
с неразрушающим считыванием используется структура 2D-M с двухко-
ординатным выделением элементов и мультиплексированием выходных
сигналов при считывании.
Запоминающие элементы таких ЗУ имеют два входа и один выход.
При наличии сигнала "Хранение" хотя бы на одном из входов элемент
при записи находится в режиме хранения. Сигнал "Чтение" опрашива-
ет состояние элемента. Сигналы "Запись" и "Запись 0" устанавлива-
ют элемент в состояние 0, а "Запись" и "Запись 1"- в состояние 1.
Выход запоминающего элемента объединяется со входом записи.
Код адреса i-й ячейки разделяется на две части (i' и i"), одна из
которых поступает на адресный формирователь АдрФ, а другая - на
разрядно-адресный коммутатор РАдрК. Пока на адресный формирова-
тель и коммутатор не приходит сигнал обращения к памяти, на их
- 7 -
выходных линиях устанавливаются сигналы "Хранение". При наличии
сигнала обращения выполняется считывание или запись в зависимости
от значения сигнала "Чтение/Запись".
При считывании адресный формирователь по линии i' выдает
сигнал выборки для считывания, по которому со всех запоминающих
элементов линии i' сигналы их состояний поступают на коммутатор.
Коммутатор РАдрК мультиплексирует эти сигналы и передает на выход
ИнфВых сигнал с линии i".
При записи адресный формирователь выдает по линии i' сигнал
выборки для записи. Коммутатор в зависимости от значения ИнфВх
выдает сигнал записи 0 или 1 в линию i" и сигналы хранения в
остальные линии. В результате запись производится только в эле-
мент, лежащий на пересечении линий i' и i".
Структура 2D-M наиболее удобна для построения полупроводни-
ковых ЗУ и широко применяется в настоящее время для построения
ОЗУ и ПЗУ большой емкости.
Статические и динамические ОЗУ
Микросхемы ОЗУ по типу элементов памяти разделяют на стати-
ческие и динамические. В микросхемах статических ОЗУ в качестве
элементов памяти применены статические триггеры на биполярных или
МДП-транзисторах. Как известно, статический триггер способен при
наличии напряжения питания сохранять свое состояние неограничен-
ное время. Число состояний, в которых может находиться триггер,
равно двум, что и позволяет использовать его для хранения двоич-
ной единицы информации.
В микросхемах динамических ОЗУ элементы памяти выполнены на
основе электрических конденсаторов, сформированных внутри полуп-
роводникового кристалла. Для обеспечения сохранности информации
необходимо периодическое восстановление (регенерация) заряда кон-
денсатора, поскольку из-за токов утечки запоминающий конденсатор
может разряжаться. Это осуществляется с помощью периодических
циклов регенерации, во время которых информация из элементов па-
мяти считывается и вновь записывается обратно. Периодичность
восстановления информации в элементах памяти называется периодом
регенерации. Период регенерации Трег резко уменьшается с увеличе-
нием температуры окружающей среды, однако для большинства серийно
выпускаемых микросхем при наихудших